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装置一覧

熱電特性評価装置(ZEM-3 M8型, ADVANCERIKO Inc.)

半導体系､セラミックス系､金属系などの幅広い材料の熱電特性評価。ゼーベック係数と電気抵抗(比抵抗)を同時測定が可能。

[仕様]
測定温度範囲：室温、50℃～800℃
雰囲気ガス：大気、Ar

4探針比抵抗測定(RT-70V, NAPSON)

4探針法により電気抵抗を測定します。

[仕様]
・測定レンジ(比抵抗)：1 μΩ～300 kΩ・㎝
・測定レンジ(シート抵抗)：5 mΩ～10 mΩ/sq

ホール効果測定装置(FastHal^TMホール効果測定装置/コントローラ　M91型, Lake Shore Cryotronics Inc.)

van der pauw法でホール効果を観測することによりキャリア移動度を測定、およびキャリア濃度とホール係数を算出します。

[仕様]
・印加磁場:630 mT

熱伝導率測定装置

3ω法を用いて薄膜の熱伝導率の測定を行います。導体、絶縁体どちらも測定が可能です。

示差走査熱量計(DSC-60 Plus, SHIMADZU)

試料温度を変化させることで熱流を測定・分析する装置。比熱や融解熱を測定することが可能。

[仕様]
・測定温度範囲：室温～600℃
・熱流量検出範囲：±150 mW
・測定可能形状：粉末･フィルム･繊維
・雰囲気ガス条件：Ar　30～50 mL/min

真空蒸着装置

成膜法の一種です。3ω法のためのアルミ回路を成膜しています。

スパッタリング装置(PGS)

RFマグネトロンスパッタリング装置。チャンバー内で圧力差を発生させ、より高品質な成膜が可能。

スピンコーター(1H-S360S, ミカサ株式会社)

基板上に薬液を滴下薬品基板を高速回転させ遠心力により薄膜を作製します。

[仕様]
・回転数：300～8000 rpm
・回転時間：～999.9秒
・試料サイズ：～100mmΦ, 1 mmt

ソルボサーマル合成装置

金属、半導体、セラミック、ポリマーなどの様々な材料を作る合成法の1つです。 合成中の前駆体物質の相互作用を促進するような中～高程度の圧力(通常、1 atm～10,000 atm)と温度(通常100℃～1000℃)のもとで溶媒を使う必要があります。

[仕様]
・回転数設定範囲:100~1500 rpm
・温度設定範囲:0~350℃
・時間設定:1分~99時間59分

超音波ホモジナイザー(Branson Digital Sonifier SFX 250, MERSON)

時間・温度・エネルギーなどのパラメーターで18通りの発信条件を設定可能。

[仕様]
・周波数：20 kHz
・出力：250 W
・発振方式：連続発振/パルス発信

マイクロ冷却遠心離(KUBOTA, 3700)

遠心力を発生させて固体と液体や、互いに溶け合わない比重の異なる液体と液体を分離させます。

[仕様]
・最高回転数:15000 rpm
・温度設定:-20℃～40℃

CV測定(HSV-110, 北斗電工株式会社)

電位を任意の速度でスイープし、その電流応答パターンを計測することで、酸化還元電位・反応速度等の測定を行います。 電位や電流をステップ印加し、その電位または電流応答パターンを計測することにより、拡散係数の等の測定を行う。

[仕様]
動作モード：CV, SLV, SSCA, SSCP, DSCA, DSCP, REST, DIAG

電気炉(ケニックス株式会社)

大気雰囲気もしくはAr-H₂雰囲気において熱処理を行います。

[仕様]
雰囲気ガス：大気、Ar(H₂ 5%)
温度範囲：室温～1000℃

汎用雰囲気熱処理装置

大気雰囲気もしくはAr-H₂雰囲気において熱処理を行います。

[仕様]
雰囲気ガス：大気、Ar(H₂ 5%)
温度範囲：室温～500℃

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